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半导体领域纷传进展摩尔定律将继续发威

2019-08-15 17:37:35来源:励志吧0次阅读

  日前英特尔(Intel)对外宣布,10将顺延至2017年下半推出,让外界一度认为摩尔定律(Moore's Law)陈述的微缩发展已出现困难。不过,从美西半导体设备暨材料展(SCON West)上许多厂商宣布新消息来看,外界若断定摩尔定律已死的说法仍言过其实。

  据报导,外界原先预期英特尔10纳米产品将在2016年底或2017年初推出,不过,执行长Brian Krzanich日前宣布将顺延至下半,其另一款14纳米产品线Skylake处理器,则预计2015年第 季开始出货。

  Krzanich也指出,采Skylake架构的14纳米Kaby Lake芯片也会在2016年下半推出,第一代10纳米Cannonlake产品则预计2017年下半会问世。

  过去英特尔从22纳米推进至14纳米也传出延误,Krzanich认为,每迈进新节点出现延误,主要是与微影技术及多重曝光步骤有关。他并指出,预期10纳米芯片也还不会采用极紫外光(EUV)。

  整体而言,每迈进至新制程节点约需2.5年,在从10纳米进展7纳米时,该公司判断时程也会继续观察EUV是否成熟、材料科学进展与产品复杂度等因素。不过,对于负责替高通(Qualcomm)、联发科与NVIDIA等生产芯片的晶圆厂而言,目前芯片微缩进展似乎反而在加速中。

  以台积电为例,该公司宣布2017年第1季推出10纳米仍在进度内,2015年第2季16纳米鳍式场效电晶体(FinFET)已量产,同年7月开始出货给客户。台积电共同执行长刘德音表示,10纳米制程发展尚在轨道上,预计2017年初可望出货。

  刘德音并指出,相较16纳米制程,10纳米制程速度快上15%、功耗减少 5%并拥有2倍闸极密度。如果上述一切按照规划进行,外界预期以台积电10纳米制程生产的产品,可望比英特尔10纳米生产的产品提早1季出现。

  另外,三星电子(Samsung Electronics)日前也表示,2016年底前将开始量产10纳米芯片。该公司并在2015年初生产14纳米FinFET产品Exynos 7 Octa,供其Galaxy S6使用。三星也授权GlobalFoundries使用其14纳米技术,后者客户包括超微(AMD)。

  GlobalFoundries则计划将推出22纳米全空乏绝缘上覆矽(Fully Depleted Silicon On Insulator;FD-SOI)技术。GlobalFoundries指出,新制程技术除可提高效能,也适合主流移动、物联(IoT)、射频(RF)与路市场。而且相较14纳米FinFET产品,其制程可减少近5成微影层数进而降低成本。

  在美西半导体设备暨材料展上,业者也普遍取得共识,半导体业发展下一步将是寻找新的替代材料,例如矽锗(SiGe)与砷化铟镓(InGaAs)。

  在微影技术上,芯片设备制造商ASML表示,虽然目标锁定让EUV使用在7纳米上,但最多只能使用在5~10层关键层,其余仍需交由19 纳米微影完成。该公司也证实,英特尔采购6套EUV系统,预计2套2015年可望交货。

  另外,由于目前DRAM微缩进展已放缓,未来若要在成本或密度上取得进展,则需仰赖额外制程容量、大尺寸晶圆、 D芯片叠层或磁性存储器(MRAM)等。

  至于NAND Flash虽然微缩进展也有难度,但新的 D NAND已是新兴焦点,其中三星已开始量产 D NAND。英特尔及美光科技(Micron)与SK海力士(SK Hynix)也预计2015年将量产 D NAND,隔年东芝(Toshiba)与新帝(SanDisk)将跟进。

  因此设备厂一致认为, D NAND进展确实较外界预期快。

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